作者： 财联社记者 王碧微|
发布时间：2026-05-15 13:33:19
【标题】AI浪价席卷利基存储：原厂产能“战略性撤防”引发断货潮，SLC/MLC NAND步入翻倍行情
【摘要】
核心驱动：受全球存储巨头（三星、海力士、美光）将产能重心转向HBM及高端服务器DRAM影响，2D NAND等成熟制程产能遭到物理性压缩甚至关停。
价格走势：MLC NAND过去一年累计涨幅已达280%，预计下半年仍有100%上涨空间；SLC NAND预计年内涨幅将再超120%。
行业影响：利基存储正经历从“边缘市场”到“结构性缺货”的逻辑重构。由于工业机器人、车用、AI终端需求刚性，市场已出现**“防御性备货”**，相关国产设计龙头在2026年一季度迎来业绩爆发式增长。
【正文】
一、 供应端：巨头战略放弃，成熟制程产能“断崖式”下跌 
本轮利基存储（Speciality Storage）的大涨并非仅由需求端驱动，而是源于上游原厂产能结构的物理性剧变：
- 三星电子：已于2025年Q1终止了持续24年的2D NAND生产，将产线改造为DRAM后端工厂。
- 铠侠（Kioxia）：明确计划2029年全面退出2D NAND，覆盖32nm至15nm全系列，最后下单日期锁定在2026年9月。
- 供给缺口：据TrendForce预测，2026年全球MLC NAND产能将同比骤减41.7%。国际大厂的“撤退”导致小容量、长生命周期的利基型号出现严重的供应断层。
二、 价格端：“越老越贵”逻辑确立，补涨周期全面开启
由于利基存储具有高可靠性，且在特定低功耗场景下难以被3D TLC取代，供需失衡导致价格飙升：
- SLC NAND：今年Q1涨幅已达50%-60%，预计Q2至Q4期间仍有约**120%**的上涨潜力。
- MLC NAND：自三星停产后进入暴涨模式，2026年下半年预期涨幅达100%。
- Consumer DRAM：2026年Q1价格累计上涨75%-80%，创下近五年单季最大涨幅。
- 库存现状：下游医疗、工控及机器人客户已开启防御性库存建立，采购周期从3个月拉长至半年以上。利基存储大厂华邦电子表示，2026、2027年既有及新增产能已被预订一空。
三、 需求端：AI端侧化与人形机器人提供新动能 
利基存储广泛应用于工控、网通、车用及新兴的人形机器人关节等领域。
- AI赋能：AI服务器、光模块以及端侧AI对高性能NOR Flash及SLC NAND的需求持续拉升。
- 不可替代性：尽管主流存储追求大容量，但工控及车用领域对高可靠性、高速传输及长寿命的特殊要求，使得小容量（8Gb以下）存储产品在特定环节具有不可替代的刚需。
四、 业绩端：国产龙头2026年Q1集体“报喜”，逻辑全面重构 
2026年一季度，国产利基存储厂商受益于量价齐升，业绩进入显著修复期：
- 兆易创新 (603986.SH)：2026年Q1归母净利润达14.6亿元，同比激增522.8%。公司在端侧AI、汽车及国内服务器领域的NOR Flash份额快速提升，LPDDR4预计下半年量产。
- 东芯股份 (688110.SH)：2026年Q1扭亏为盈，归母净利润达1.38亿元，同比增加333.42%。作为国内SLC NAND领先厂商，正有序加大生产备货。
- 北京君正 (300223.SZ)：车规级存储领军者，SRAM全球市占率第二。其Flash产品已获得AI服务器客户持续增购。
- 普冉股份 (688766.SH)：NOR Flash全球市占率稳居前五，积极通过资产收购强化在高端利基市场的布局。
【结论】
研判建议：
利基型存储正处于**“原厂退出+需求转型+国产替代”**的三重共振期。
- 短期看涨价弹性：随着原厂最后下单日期临近，现货与合约价格有望继续冲高，相关公司毛利率将持续改善。
- 长期看结构重构：大厂退出的市场真空将由国产龙头填补，尤其是具备车规级认证和AI服务器供应链进入能力的厂商。
- 风险提示：下游需求复苏若不及预期、3D TLC对部分利基市场替代加速、扩产节奏过快导致的后期过剩。
延伸阅读
原文链接