[东吴证券]2026年度半导体设备行业策略:看好存储&先进逻辑扩产,设备商国产化迎新机遇

:memo: 作者: | :date: 发布时间:Thu, 26 Feb 2026 16:00:00 GMT

2026年度半导体设备行业策略:看好存储&先进逻辑扩产,设备商国产化迎新机遇 :rocket:

:memo: 摘要

随着AI算力需求的爆发,全球半导体设备市场正进入新一轮上行周期。先进逻辑高阶存储的制程迭代,显著提升了单万片产能的设备投资额。在全球贸易限制背景下,中国半导体设备自主可控逻辑持续强化,国产替代正从成熟制程向先进制程及先进封装领域全面加速。


:magnifying_glass_tilted_left: 正文

1. AI驱动资本开支新周期,先进制程投资倍增 :laptop:

AI算力需求的激增正引领全球半导体市场规模创下新高:

  • 先进逻辑端: 工艺由 FinFET 向 GAA/CFET 演进。5nm及以下制程的单位产能投资额大幅跃升,其单万片/月产能投资额较28nm提升了数倍
  • 存储端: HBM需求带动 DRAM 高阶制程升级,3D NAND 向 400层以上 堆叠演进,单位产能投资同步走高。
  • 国内动能: 中国大陆晶圆产能全球占比仍低于销售占比,逻辑与存储龙头资本开支维持高位。随着两大存储厂商上市融资在即,扩产动能具备持续性,支撑设备景气度长期上行。

2. 工艺迭代推升设备价值,刻蚀与薄膜沉积成核心 :hammer_and_wrench:

制程结构的复杂化直接带动了图形化环节的投资强度:

  • 技术要求提升: 逻辑端GAA结构与存储端高层数堆叠,对高深宽比刻蚀(HAR)、**高选择比刻蚀(ALE)ALD(原子层沉积)**技术提出苛刻要求。
  • 价值量占比: 刻蚀与薄膜沉积在前道设备中的价值占比位居前三,且随着制程演进持续提升。
  • 乘数效应: 多重曝光、先进金属材料替代及新型结构的引入,使得设备投资呈现出“技术节点越先进、单位投资越高”的特征,平台型设备商将深度受益。

3. 自主可控逻辑强化,国产替代进入加速阶段 :shield:

外部限制环境倒逼国内产业链加速实现自主可控:

  • 瓶颈环节: 目前进口依赖度较高的涂胶显影、清洗、量检测、光刻等环节,国产化率仍低于 25%
  • 政策红利: 在政策支持与大基金三期落地背景下,国内晶圆厂国产设备采购意愿极强。
  • 国产化率趋势:
    • 2017年:13%
    • 2024年:20%
    • 2025年(预计):22%
  • 未来空间: 随着平台型厂商技术突破,国产设备将在先进制程与先进封装领域获得更大市场份额。

:light_bulb: 结论与建议

:glowing_star: 重点推荐标的:

  • 前道平台化巨头: 【北方华创】、【中微公司】
  • 低国产化率突破者: 【芯源微】、【中科飞测】、【精测电子】
  • 薄膜沉积领军者: 【拓荆科技】、【微导纳米】
  • 后道封测设备: 【华峰测控】、【长川科技】、【迈为股份】
  • 关键核心零部件: 【新莱应材】、【富创精密】、【晶盛机电】、【英杰电气】、【汉钟精机】

:warning: 风险提示:

  1. 半导体行业投资力度不及预期。
  2. 设备国产化研发进程不及预期。
  3. 技术迭代及工艺路线发生重大变化风险。

:light_bulb: 延伸阅读
研报PDF原文链接