存储芯片迎“历史性”时刻:三大龙头齐破千亿,机构称缺货持续至2027年

:memo: 作者: 财联社 张昱彤| :date: 发布时间:2026-04-14 19:36:21

【深度研报】存储芯片迎来“历史性”时刻:三大龙头齐破千亿,AI驱动超级景气周期至2027年

【摘要】
2026年4月14日,A股存储芯片板块爆发,江波龙、佰维存储、德明利三家公司市值集体跨越千亿大关并创历史新高。受AI超级周期驱动,全球存储价格翻倍上涨,产业链公司一季报业绩呈现“核爆式”增长,部分公司单季盈利超越去年全年。机构指出,当前处于周期前中段,供不应求格局有望延续至2027年底


【正文】

一、 市场表现:千亿阵营齐聚,全球产业链共振 :chart_increasing:
今日,存储芯片板块成为市场核心焦点,三大领军企业表现亮眼:

  • 江波龙:市值达1599.1亿元,股价收涨近8%,延续年初至今的强势行情。
  • 佰维存储:市值触及1356.5亿元,今日收涨12.61%,年内累计涨幅已超150%
  • 德明利:市值站稳1135.7亿元,今日股价再创新高。

海外联动效应: 存储热潮席卷全球,美股闪迪年内涨幅达301%,韩国SK海力士股价首次突破110万韩元,标志着全球存储行业进入共振式爆发期。

二、 业绩驱动:一季报惊现“核爆式”增长 :money_bag:
2026年一季度业绩预告显示,存储企业盈利能力出现历史性跨越:

  • 香农芯创:预计一季度净利润最高同比增幅超87倍,单季盈利超2025全年。
  • 德明利:预计一季度归母净利润同比增长超4600%,单季盈利约为去年全年的5倍
  • 佰维存储:前两月归母净利润增幅最高接近1100%

三、 价格趋势:合约价连续大幅上调 :rocket:
在AI服务器强劲需求下,原厂议价能力极强,产品价格呈现翻倍式跳升:

  • DRAM:2026年Q1合约价涨幅上调至90%—95%;预计Q2环比再涨58%—63%
  • NAND Flash:Q1合约价涨幅达55%—60%;预计Q2涨幅扩大至70%—75%
  • 核心细分:HBM及DDR5持续紧缺,二季度原厂DDR5价格整体上涨约30%

四、 机构观点:AI定义的超级长周期 :light_bulb:
多家主流机构认为,本轮周期与以往由智能手机驱动的逻辑本质不同:

  1. 需求驱动:AI服务器及多模态应用对高性能存储的需求是刚性的,涨价更具持续性。
  2. 供给约束:原厂产能向HBM倾斜,导致常规NAND Flash及消费类DRAM产能受限。
  3. 技术路径CXL内存池方案成为关键,预计2030年将在服务器DRAM中占据约**15%**的份额。

【结论】

:warning: 核心结论:当前存储芯片行业仍处于超级景气周期的前中段

  1. 时间维度:供不应求的缺口预计将至少持续至2027年底,行业天花板尚未触及。
  2. 投资逻辑:短期关注业绩爆发力极强的存储模组公司;中长期看好具备技术壁垒的存储设计原厂及布局CXL/HBM等高端方案的领先企业。
  3. 风险提示:需关注产能加速开出后的价格波动及宏观经济对下游消费电子复苏节奏的影响。

:light_bulb: 延伸阅读
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